Bibliography

V. Gavryushin. Investigations of impurity and intrinsic effects of nonlinear light absorption and of their competitions in II-VI type semiconductors. Thesis of Doctor of Philosophy Dissertation, Vilnius, 1979

["Priemaisinių ir savųjų netiesinės šviesos sugerties efektų ir jų konkurencijos A₂B₆ grupės puslaidininkiuose tyrimai."
Daktaro disertacija. Vilniaus universitetas. Vilnius. 1979.]

V.Gavryushin. "Crystal Spectroscopy and Material Science based on Nonlinear and Induced Light Absorption methods. Energetic structure. Point defects. Free and localized carriers."
Thesis of Habilitated Doctor of Science dissertation, Vilnius, 1990 [part4:

]

["Kristalu spektroskopija ir medziagotyra netiesines ir indukuotos sviesos sugerties metodais.
Energinė struktūra. Taškiniai defektai. Laisvi ir lokalizuoti kruvininkai."
Habilituoto daktaro disertacija. Vilniaus universitetas. Vilnius. 1990.]


	List of main publications
1.	Baltramiejūnas R., Vaitkus J., Viščakas J., Gavryushin V. The dependence of Two-Photon absorption coefficient on the thickness of single crystals of CdS, Sov. Optics and Spectroscopy, 1974.- V.36, N6, P. 1225-1227. [Балтрамеюнас P., Вайткус Ю., Вищакас Ю., Гаврюшин В. Зависимость коэффициента двухфотонного поглощения от толщины монокристаллов CdS. Оптика и Спектроск.- 1974.- Т. 36, B6. С. 1225-1227]
2.	Vaitkus J., Baltramiejunas R., Gavryushin V., Jarasiunas K., Veleckas D. The dependence of Measurable Two-Photon absorption coefficient on. experimental conditions and characteristics of semiconductors inside the laser cavity. IEEE Journ.Quant.Electron.- 1974.- QE-10, N 9.- P.699-700.
3.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, J.Vaitkus. Spectral dependence of the coefficient of two-photon absorption in ZnSe. Sov.Phys.Solid State 17 (1975) 2020-2021. [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Вайткус.Ю. Частотная эависимость коэффициента двухфотонного поглощения в ZnSe // ФТТ.- 1975.- Т. 17, В. 10.- С. 3047-3049]
4.	Baltramiejunas R., Gavryushin V., Vaitkus J., Andronik A., Lukian F. Two-photon absorption in Zn_xCd_1-xTe single crystals. Phys.Stat.Sol. (a).- 1975.- V.31, N 2.- P.K159-163.
5.	R. Baltramiejunas, V. Gavryushin and J. Vaitkus, Influence of the Deep Impurities on the two-photon absorption of single crystals of CdS, Fiz. Tverd. Tela 18 (1976) 1150, [Soviet Phys.-Solid State 18 (1976) 660]. [Балтрамеюнас P.И., Гаврюшин В.И., Вайткус Ю.Ю. Влияние глубоких примесей на двухфотонное поглощение в монокристаллах CdS, ФТТ. 1976. Т.18, В 4. C.1150-1153]
6.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus and V. Gavryushin, Influence of the Impurities on the spectral distribution of two-photon absorption of single crystals of ZnSe, Fiz. Tverd. Tela 18 (1976), 2954 [Soviet Phys.-Solid State 18 (1976),1723]. [Балтрамеюнас Р., Вайткус Ю., Гаврюшин В. Влияние примесей на спектральное распределение двухфотонного поглощения в монокристаллах ZnSe, ФТТ. 1976. Т.18, В.10. С.2954-2957]
7.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus, V. Gavryushin, and K. Dmitrenko, About the spectra of two-photon absorption of mixed crystals of Zn_xCd_1-xS. Sov.Phys.-Semicond. 11 (1977) 106. [Балтрамеюнас Р.Й., Вайткус Ю.Ю., Гаврюшин В.И., Дмитренко К.А. О спектрах двухфотонного поглощения в смешанных монокристаллах Zn_xCd_1-xS, ФТП. 1977. Т.11, B.1.- С. 106-109]
8.	V. Gavryushin, V. Narkevicius, R. Baltramiejunas, Automatic equipment for the investigation of the spectra of two-photon absorption in semiconductors. Sov. Instruments and Technic of Experiment, 1978.- N1.- C. 186-188 [Гаврюшин В., Наркявичюс В., Балтрамеюнас Р. Aвтоматическая установка для исследования спектров двухфотонного поглощения в полупроводниках. ПТЭ. -1978.- N1.- C. 186-188.]
9.	R. Baltramiejunas, V. Gavryushin, J. Vaitkus, E. Kuokstis. Investigation of the effects of the screening of exciton continuum of CdS by the methods of two-photon spectroscopy. Fiz. Tverd. Tela 20 (1978), 768 [Soviet Phys.-Solid State 20 (1978), 768] [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Вайткус Ю., Куокштис Э. Исследование эффектов экранирования экситонного континуума в CdS методами двухфотонной спектроскопии. ФТТ 1978 Т.20, В.3. С.768-774]
10.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus, V. Gavryushin, Two-photon and two-step absorption in A₂B₆ semiconductors. Lithuanian Journal of Physics, 1978, 13, no.3, p.365. [Балтрамеюнас Р., Вайткус К., Гаврюшин В. Двухфотонное и двухступенчатое поглощение света в полупроводниках А₂В_6. Литовский Физич. Сборник. 1978. Т.13, В.3. С.365-371]
11.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus, V. Gavryushin. Investigation of the processes of nonlinear absorption and their competition in semiconductors of groups A₂B₆ and A₃B₆. Proc.USSR Academy of Sciences, Phys.Ser., 1978, v.42, p.2539-2546 [Балтрамеюнас P., Вайткус Ю., Гаврюшин В. Изучение процессов нелинейного поглощения и их конкуренции в полупроводниках А₂В₆ и А₃В₆ . Иэв.АН СССР, сер.фиэич. 1978. Т.42, В.12. С.2539-2546]
12.	V. Gavryushin. Investigations of impurity and intrinsic effects of nonlinear light absorption and of their competitions in II-VI type semiconductors. Thesis of Doctor of Science Dissertation, Vilnius, 1979 [Гаврюшин В.И. Исследования примесных и собственных эффектов нелинейного поглощения света и их конкуренции в полупроводниках граппы А₂В₆. Кандидатск, диссерт.- Вильнюс.- 1979. С.-201]
13.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus, J. Viscakas, V. Gavryushin et al., Spectral and polarizational investigations of two-photon absorption in semiconductors of group A₂B₆, lzv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 46 (1982) 1442 [Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. 46 (8) 1-9 (1982). [Балтрамеюнас Р., Вайткус Ю., Вищакас Ю., Гаврюшин В., Кубертавичюс В., Рачюкайтис Г. Спектральные и поляризационные исследования двухфотонного поглощения в полупроводниках группы А₂В₆ . Изв.АН СССР, сер.физич. 1982. Т. 46, В. 8. С. 1442-1451]
14.	R. Baltramiejūnas, V. Gavryushin, , J. Vaitkus. About the role of the exciton intermediate resonanse in two-photon spectroscopy of CdS crystals. Fiz. Tverd. Tela 24 (1982), 2888-2893 [Soviet Phys.-Solid State 24 (1982), 2888] [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Вайткус Ю., 0 роли экситонного промежуточного резонанса в двухфотонной спектроскопии кристаллов CdS. ФТТ. 1982. Т.24, В.10. С. 2888-2893]
15.	R. Baltramiejūnas, V. Gavryushin, V. Kubertavičius and G. Račiukaitis, About nonlinear absorption in ZnO single crystals. Soviet JETP Letters, v.38, p.3-5 (1983) [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Кубертавичюс В., Рачюкайтис Г. О нелинейном поглощении света в монокристаллах Zn0 . Письма. ЖЭТФ. 1983. Т. 38, B.1. С. 3-5]
16.	R. Baltramiejunas, V. Gavryushin, V. Kubertavicius and G. Raciukaitis, Investigations of the peculiarities of nonlinear light absorption in ZnO single crystals. Soviet Phys. Solid State, V. 25, p.2068-2073 (1983). [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Кубертавичюс В., Рачюкайтис Г. Исследование особенностей нелинейного поглощения света в монокристаллах Zn0. ФТТ. 1983. Т.25, В.12. С.3596-3605]
17.	R. Baltramiejūnas, J.Viščakas, V. Gavryushin, V. Kubertavičius, I.Tytchina. Investigation of the spectral dependencies of two-photon absorption in single crystals ZnP₂ of tetrahonal modification. Fiz.Tverd.Tela 25 (1983), 3701-3703. [Soviet Phys.-Solid State 25 (1983), 3701]. [Балтрамеюнас P. Вищакас Ю., Гаврюшин В., Кубертавичюс В., Тычина И. Исследования спектральных зависимостей двухфотонного поглощения в монокристаллах ZnР₂ тетрагональной модификации. ФТТ. 1983. Т. 25, В. 12. С. 3701-3703]
18.	R. Baltramiejunas, J. Vaitkus and V. Gavryushin, Light absorption by nonequilibrium, two-photon-generated, free and localized carriers in ZnTe single crystals. Soviet Phys.-JETP, V. 60 (1), p.43-48 (1984). [Zh.Eksp.Teor.Fiz. 1984. v.87, B.I.- p.74-83] [Балтрамеюнас P., Вайткус Ю., Гаврюшин В. Поглощение света неравновесными двухфотонно генерируемыми свободными и локализованными носителями в монокристаллах ZnТе // ЖЭТФ. 1984. Т.87, B.I.- С.74-83]
19.	R. Baltramiejunas, R. Baubinas, J. Vaitkus, V. Gavryushin and G. Raciukaitis, Investigations of the deep levels in single crystals of ZnSe by method of nonlinear absorption spectroscopy. Sov. Phys. Solid. State 27 (1985) 371. [Балтрамеюнас P., Баубинас P., Вайткус Ю., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г. Исследование глубоких уровней в монокристаллах ZnSe методом нелинейной спектроскопии поглощения. ФТТ. 1985. Т.27, В.2, C.371-378]	(engl) (russian)
20.	Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Казлаускас А., Кубертавичюс В., Рачюкайтис Г. Нелинейная спектроскопия зонных и локальных состояний в широкозонных полупроводниках в кн. "Лазеры и оптическая нелинейность".- Вильнюс.-1987.- ИФ АН Лит.ССР.- С.144-154.
21.	Гаврюшин В.И. Нелинейная спектроскопия собственных и примесных состояний в полупроводниках. в кн, "Применение лазеров в атомной, молекулярной и ядерной физике" / Ред. А. Пискарскас. Труды IV Межд.школы (Вильнюс -1987) Вильнюс: ВГУ,. 1988. С.136-155. [V. Gavryushin, Nonlinear spectroscopy of intrinsic and impurity states in semiconductors, in “Laser Applications in atom, molecular and nuclear physics”, ed. A. Piskarskas, Vilnius, VU, 1988, p. 136-155. (in russian)]
22.	V. Kubertavicius, A.Mereškevičius, V. Gavryushin. Investigations of nonlinear absorption in the single crystals of ZnWO₄. Lithuanian J. of Physics, 1988, v.28, p.106-107. [Кубертавичюс В., Мерешкявичюс А., Гаврюшин В. Исследования нелинейного поглощения в монокристаллах ZnWO₄ . Литовский физич. сборник. - 1988.- Т. 28, B.I.- С. 106-107]
23.	R. Baltramiejunas, V. Gavryushin, G. Raciukaitis, V.D. Ryzhikov, A. Kazlauskas and V. Kubertavicius. Spectroscopy of deep centers in single crystals ZnSe:Te by method of laser modulation of two-step absorption of light. Sov. Phys. Tech. Semicond. 22 (1988) 1163. [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Рыжиков В.Д., Кубертавичюс В., Казлаускас А. Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe:Te методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения света. ФТП.- 1988.- Т.22. В.7. С.116З-1170]
24.	R.Baltramiejūnas, V.Gavryushin, V.Kubertavičius, and G.Račiukaitis, Deep local levels as virtual intermediate states of the process of two-photon absorption in ZnO and ZnSe crystals. Sov.Sol.St.Phys. 1988. v.30, N.4.- p.1089-1097 [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Кубертавичюс В., Рачюкайтис Г. Глубокие уровни как виртуальные промежуточные состояния процесса двухфотонного поглощения в кристаллах Zn0 и ZnSe. ФТТ. 1988. Т.30, В.4.- 1089-1097]
25.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin. Two-photon and two-step spectroscopy of fundamental and impurity states in semiconductors. In "Lasers - physics and applications", ed. A.Y.Spasov, Word Scientific, Singapore, 1989, p.724-742
26.	V.Gavryushin. Nonlinear spectroscopy of intrinsic and local defect states in semiconductors. in "Lasers in Atomic, molecular and nuclear physics", ed. V.S.Letokhov, Word Scientific. Publishing, Singapore, 1989, p.303-321
27.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, V.Kubertavicius, and A.Kazlauskas. Two-photon absorption via deep local levels as virtual intermediate states in semiconductors. Phys.Stat.Sol.(b) 151 (1989) 721-731
28.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin. Nonlinear spectroscopy of deep centers in cincum chalcogenais crystals. Sov. Phys. Inorganic materials, 25, n.11 (1989), p.1824-183 [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В. Нелинейная спектроскопия глубоких центров в халькогенидах цинка // Изв.АН СССР, сер.Неорг.матер. 1989. 'Т.25, B.11. C.1824-1831]	in russian
29.	Sh.Efendiev, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, G.Puzonas, A.Kazlauskas N.Darvishov, S.Shakhdgan. Two-photon spectroscopy of PbMoO₄ single crystals. Indirect band transitions. Phys.Stat.Sol.(b) 156 (1989) 697-704
30.	V.Gavryushin, R.Baltramiejunas, G.Raciukaitis, V.Kubertavicius, A.Kazlauskas, and G.Puzonas. Nonlinear-absorptional spectroscopy and material science of crystals. Sov.J.Appl.Spectr. 51 (1989) 503-513. [Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Кубертавичюс В, Казлаускас А., Пузонас Г. Нелинейно-Абсорбционная спектроскопия и материаловедение кристаллов // ЖПС. - 1989.- Т. 51, В.3.- С. 503-513]
31.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, V.Kubertavicius, A.Kazlauskas, E.V.Markov, V.A.Teplitskii. Nonlinear spectroscopy of point defects and their technological dynamics in CdS crystals. Deponated in Lith.MTINTL, Nr.2421-Li, 1989. 81p. [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Кубертавичюс В., Казлаускас А., Марков Е.В., Теплицкий В.ft. Нелинейная спектроскопия точечных дефектов и их технологической динамики в кристаллах CdS // Деп. В ЛитНИИНТИ 16.08.1989, Nr.2421- Ли.- С.1-81]
32.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, G.Puzonas, A.Kazlauskas, Sh.Efendiev, N.Darvishov. Indirect interband transitions in PbMoO₄ single crystals. Two-photon spectroscopy. Sov.Phys.Solid State 31 (1989) 1455-1456. [Балтрамеюнас P. , Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Пузонас Г., Казлаускас И., Эфендиев Ш., Дарвищов Н., Багиев В. Непрямые межзонные переходы в монокристаллах РbМоО₄. двухфотонная' спектроскопия // ФТТ. 1989. Т.31, В.8.- С.305-308]
33.	V.Gavryushin. “Crystal Spectroscopy and Material Science based on Nonlinear and Induced Light Absorption methods. Energetic structure. Point defects. Free and localised carriers. ” Thesis of Habilitated Doctor Dissertation, Vilnius, 1990. [ГАВРЮШИН В.И. СПЕКТРОСКОПИЯ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДАМИ НЕЛИНЕЙНОГО И ИНДУЦИРОВАННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА. Энергетическая структура Точечные дефекты Свободные и локализованные носители заряда. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. ВИЛЬНЮС-1990	part4:
34.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, G.Puzonas, A.Kazlauskas, Sh.M.Efendiev, R.Aliev. Spectroscopy of two-step light absorption by defects of sillenite-type crystals. Lithuanian Phys. Journ. 30, n.3, (1990) 85-92. [Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Пузонас Г., Казлаускас A., Эфендиев Ш., Aлиев Р. Спектроскопия двухступенчатого погпощения света дефектами кристаллов типа силленита // Лит. физич. сборник. 1990. Т.30, В.3. С. 552-561 [Liet. Fiz.Rink 1990. v.30, 3. p.552-561]
35.	V.Gavryushin, G.Raciukaitis, G.Puzonas, Sh.M.Efendiev, R.Aliev. Laser modulation of photochromic effect in sillenite-type crystals. Lithuanian Phys.Journ. 30, n.4, (1990) 472-480. [Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Пузонас Г., Эфендиев Ш., Aлиев Р. Лазерная модуляция фотохромного эффекта в кристаллах типа силленита // Лит, физич. сборник. 1990. Т.30, В.4. С.5 [Liet. Fiz.Rink. 1990. v.30, #.4. p.5]	in russian
36.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin. Nonlinear spectroscopy of deep levels in wide-gap II-IV semiconductors. J.Crystal Growth 101 (1990) 699-704
37.	Sh.M.Efendiev, V.Gavryushinas, G.Raciukaitis, V.E.Bagiev, A.Kazlauskas, G.Puzonas, R.A.Aliev, E.R.Mustafaev. Induced absorption spectroscopy by lattice defects in sillenite-type crystals. Phys.Stat.Sol.(b) 162 n.1 (1990) 281-288.
38.	Sh.M.Efendiev, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, V.E.Bagiev, A.Kazlauskas, G.Puzonas, R.A.Aliev, E.R.Mustafaev. Laser modulation of photochrom effect in with sillenite-type. Phys.Stat.Sol.(b) 164 n.2 (1991) 561-568.
39.	V.D.Ryzhikov, V.Gavryushin, A.Kazlauskas, G.Raciukaitis. Influence of heat treatment on the formation of recombination centers in isovalently doped ZnSe:Te crystals. Sov.Phys.Semicond. 25, 1991 509-512. [Рыжиков В.Д., Гаврюшин В.И., Казлаускас А., Рачюкайтис Г. Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe:Te. ФТП. 1991. Т.25. В.5. С.841-846]
40.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, A.Kazlauskas, V.D.Ryzhikov, E.V.Markov,V.A.Teplitskii, .A.Kamenskii, V.V.Smirnov. Effects of deformation of the fundamental edge by defects on two-photon spectroscopy of semiconductors. Sov.Phys.Solid State 33 (1991) 537-538. [FTT, 1991, N.33, A.3, N.944-946]
41.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, and G.Raciukaitis. Giant nonlinear losses in GaSe crystals under two-photon resonant conditions. Valence band structure from induced free carrier absorption. Sol.St.Comm. 80 (1991) 303-306
42.	V.Gavryushin, O.M.Makienko, E.V.Markov, A.Kazlauskas, G.Raciukaitis, and V.A.Teplitskii. Influence of growth conditions of CdS single crystals on the contamination of point defects of the lattice. Sov.Phys. Inorganic Materials 28 (1992) 31-35	in russian
43.	R.Baltramiejunas, V.D.Ryzhikov, V.Gavryushin, A.Kazlauskas, G.Raciukaitis, V.I.Silin, D.Juodzbalis, V.Stepankevicius. Luminescent and nonlinear spectroscopy of recombination centers in isovalent doped ZnSe:Te crystals. J.Lumin. 52 (1992) 71-81
44.	R.Baltramiejunas, G.Raciukaitis, V.Gavryushin, D.Juodzbalis, A.Kazlauskas. Deep level nonlinear spectroscopy. Centers of radiative and nonradiative recombination in isoelectronic doped ZnSe:Te crystals. Annual Report 1991, Institute of Physics, Vilnius (1992) 30-32
45.	A.Danishevskii, V.Latinis, S.Yurshenas, V.Gavryushin, M.Mezdrogina, E.Terukov. Laser Action in a-Si:H. Sov.Phys.JETP Letters 55 (1992) 717-720
46.	R.Baltramiejunas, V.D.Ryzhikov, G.Raciukaitis, V.Gavryushin, D.Juodzbalis, and A.Kazlauskas. *Centers of radiative and nonradiative recombination in isoelectronically doped ZnSe:Te crystals.* Physica B, 185, 245-249 (1993)
47.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, V.Kubertavicius, G.Raciukaitis, Nonlinear spectroscopy of DA-centers in CdS crystals. Stepwise exciton ocalization by isoelectronic defects. Physica B185, 336-341 (1993)
48.	V.Ryzhikov, G.Raciukaitis, R.Baltramiejunas, D.Juodzbalis, V.Gavryushin, A.Kazlauskas. Centers of red luminescence quenching in ZnSe:Te crystals. Defect and Diffusion Forum V.103/105, 152-157 (1993)
49.	R.Baltramiejunas, V.Gavryushin, V.Kubertavicius, G.Raciukaitis, Nonlinear spectroscopy of DA-centers of band-edge luminescence in CdS crystals. Two-step exciton localization by isoelectronic centers. Defect and Diffusion Forum V.103/105, 163-168 (1993)
50.	G.Raciukaitis, V.Gavryushin, G.Puzonas. Photo-induced absorption in Bi₁₂SiO₂₀:Cr crystals. Jap.J.Appl.Phys., v. 32, suppl. 3, 639-642, (1993)
51.	V.Gavryushin, G.Raciukaitis, A.Kazlauskas, V.Kubertavicius, D.Juodzbalis, G.Puzonas. Nonlinear spectroscopy of deep levels in photo-ferroelectric SbSI. Jap.J.Appl.Phys., v. 32, suppl. 3 , 642-644 (1993)
52.	V.Gavryushin, G.Raciukaitis, D.Juodzbalis, A.Kazlauskas, V.Kubertavicius. Characterization of intrinsic and impurity deep levels in ZnSe and ZnO crystals by nonlinear spectroscopy. J.Cryst.Growth, 138 , 924-933 (1994)
53.	V.Gavryushin, A.Kazlauskas, and G.Raciukaitis. Defect-induced fundamental edge distortions in two-photon spectroscopy of semiconductors. Advanced Materials for Optics and Electronics 3 (1994) 247-251
54.	A.Kazlauskas, V.Gavryushin, G.Raciukaitis, and O.Makienko. Stoichiometry of CdS crystals and their optical and lasing properties. J.Cryst.Growth 146, 59-64 (1995)
	V.Gavryushin, G.Račiukaitis and A.Kazlauskas. "Nonlinear Spectroscopy as a tool to study Deep Local Defects in the crystals". The Gordon Research Conference “Point & Line Defects in Semiconductors”, 1996, August, New Hampshire, USA
55.	V.Gavryushin, "The Basics of Semiconductor Optics and Spectroscopy" (in lithuanian) [Vadovėlio rankraštis: V.Gavriušinas ”PUSLAIDININKIŲ OPTIKOS IR SPEKTROSKOPIJOS PAGRINDAI” Vilnius 1997, VU ( 300 psl)]
56.	V. Gavryushin. Deep Level Spectroscopy In Semiconductors. Some Problems of Interpretation. Lithuanian Journal of Physics, 1997, 37, no.6, p.
57.	V.Gavryushin, R.Baltramiejunas, G.Raciukaitis, and A.Kazlauskas. Nonlinear spectroscopy of deep levels in ZnS crystals. Lithuanian Journal of Physics, 1997, 37, no.6, p. [V.Gavriusinas, R.Baltramiejunas, G.Raciukaitis, A.Kazlauskas. Gilių centrų ZnS kristaluose netiesinė spektroskopija. Lietuvos fizikos žurnalas, 1997, 37, nr.6, p.]
58.	V. Gavryushin and A. Kazlauskas. Rapid Laser-Beam-Controlled Transparency Blocking In Sillenite Type Crystals. 24-th European Conference on Optical Communication (ECOC’98), Madrid, 1998
61.	A.Vaitkuviene, V.Gavriušinas, J.Vaitkus, K.Svanberg, Clinical and experimental trial for laser fluorescence diagnostics of gynaecological tumours. Ryga, 1999.04.17-19
62.	A.Vaitkuvienė, V.Poškienė, A.Usonienė, D.Veleckas, V.Gavriušinas, K.Svanberg. Fluorescentinė diagnostika ginekologijoje (funkciniai pokyčiai, infekcija, displazija, neoplazija). Fluorescence diagnostics in gynaecology. Mokslas ir teorija. 1999
63.	A.Vaitkuvienė, V.Gavriušinas, J.Vaitkus, Methodology of medical fluorescence diagnostics of human tissue. Lithuanian J. Phys. 2000, v.40, No.4, 232-236
64.	Vladimir Gavryushin, New opportunities of Nonlinear Spectroscopy in Full Characterization of Deep Levels in Solids: Direct Studies of the Electron-Phonon Interaction in Defect States. Gordon Research Conference “Condensed Matter Physics”, June13-18, 2000, New London, Connecticut
65.	Vaitkuvienė A., Gavriušinas V., Vaitkus J. V. Light Induced Fluorescence in Differentiation of Endometrial Pathology SPIE .vol. 4161. Proceedings of EbiOS 2000
66.	Vladimir Gavryushin, Interaction between internal and external shells of Cr centers in Bi₁₂SiO₂₀ crystals Lithuanian Journal of Physics, 2000, 40, No.1-3, p.105-108
67.	A.Vaitkuviene, E.Auksorius, V.Gavryushin, J-V.Vaitkus Light induced fluorescence in differentiation of endometrial pathology. Multivariant statistical treatment. Proc. SPIE, 2001 V.4606, p.23-29
69.	V.Gavriušinas, E.Auksorius, D.Fuchs, A.Vaitkuvienė. The role of neopterin in the fluorescence investigations of biotissue pathology. Lithuanian Journal of Physics, 2002, v. 42, No.2, p 111-118
70.	V.Gavryushin. Characterisation of Deep Levels Spectra in Semiconductors. Lithuanian Journal of Physics, 2002, v.42, no.3, p. 219-224
71.	Vladimir Gavryushin. Direct characterization of Electron-Phonon Interaction for deep levels in semiconductors. Lithuanian Journal of Physics, 2002, v.42, No.1, p. 23-29
72.	A.Vaitkuvienė, D.Veleckas, V.Gavryushin. Spectroscopy and modelling studies of endogenous fluorophores of the human tissue, Abstracts of IXth International Conference on Laser Applications in Life Sciences, July 7-11, 2002, Vilnius
73.	A.Vaitkuviene, E.Auksorius, D. Fuchs, V.Gavriushin, Multivariate analysis of endometrial tissue fluorescence spectra, Proc. of SPIE, 4903 (2002), 29-33
74.	A.Vaitkuviene, E.Auksorius, D. Fuchs, V.Gavriushin, Chemometrical analysis of endometrial tissue fluorescence spectra, Proc. of SPIE, 4903 (2002), 240-245
75.	V. Gavryushin and A.Vaitkuvienė. Modeling studies of alive tissue fluorophores spectra. Lithuanian Journal of Physics, 2003, [unpublished]
76.	Vladimir Gavryushin, Direct characterization of Electron-Phonon Interaction for deep levels in semiconductors. JETP Letters, Vol. 78, No. 5, 2003, pp. 309–313 В.Гаврюшин, О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в состояниях глубоких дефектов полупроводников. Письма ЖЭТФ, 78, 5, 757–762 (2003 )	-eng color -rus
77.	V. Gavryushin, A New Form-Factor Method for the Analysis of Tissue Fluorescence, arXiv.org e-Print archyve, http://arxiv.org/pdf/q-bio.TO/0510041
78.	A. Vaitkuviene, S. Andersen-Engels, E. Auksorius, N. Bendsoe, V. Gavryushin, U. Gustafsson, J. Oyama, S. Palsson, M. Soto Thompson, U. Stenram, K. Svanberg M.D., V. Viliunas, M. J. De Weert, Photo diagnosis of early prie-cancer (LSIL) in genital tissue, SPIE 5968, 8-19 (2005).
79.	V. Lazauskas, V. Nelkinas, J. Grigas, E. Talik, V. Gavryushin, Electronic structure of valence band of ferroelectric SbSI crystals, Lith. J. Phys., Vol. 46, No. 2, 205-211 (2006)
80.	V. Grivickas, V. Bikbajevas, V. Gavriušinas, J. Linnros, Photoacoustic pulse generation in TlGaSe₂ layered crystals, Materials science (Medžiagotyra, ISSN 1392-1320) v.12, no.4, p. 279-282 (2006)
81.	V. Gavryushin, Phenomenology of Spectra Broadening Effects, Spec. Colloque AMPERE and A. von Humboldt Workshop: Advanced Materials as Studied by Spectroscopic and Diffraction Techniques, Sept.2006, Vilnius, Lithuania (www.ff.vu.lt/ampere)
82.	V. Gavriusinas, Dvifotonika Vaitkaus biografijoje, in "Juozas Vidmantis Vaitkus. Per mokslo prizmę", VU, pp. 97-103, 2006
83.	V. Gavryushin, A. Kadys, M. Sudžius, K. Jarašiūnas, Effects of Photo-Quenching–Buildup and Saturation of the Induced Impurity Grating in ZnSe:Cr Crystals, JETP Letters, Vol. 83, No. 1, pp. 22-27 (2006) [Letters to Journal of Experimental and Theoretical Physics]
84.	В. Гаврюшин, А.Кадис, М. Суджюс, К. Ярашюнас, Эффекты фото-“гашения-возгорания” и насыщения индуцированной примесной решетки в кристаллах ZnSe:Cr, Письма ЖЭТФ, 83, (1) 24-30 (2006) [Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики]
85.	V. Gavriūšinas, Quantum well interface broadening effects, Proceedings of the Society of Photo-optical Instrumentation Engineers (SPIE), eds. S. Asmontas, J. Gradauskas, Advanced Optical Materials, Technologies, and Devices, 6596, 59619-59619 (2007)
86.	V. Grivickas, V. Bikbajevas, V. Gavriušinas and J. Linnros. Strong Photoacoustic Pulses Generated in TlGaSe₂ Layered Crystals, Journal of Physics: Conference Series, 100, 042007 (2008)
87.	V. Gavriušinas, A. Kadys, R. Aleksiejūnas, K. Jarašiūnas. Correlation between the free carrier lifetime and total amount of deep centers in ZnO single crystals, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 19, 311-315 (2008)